News

Применение карбида бора в качестве флюса для наплавки твердых покрытий?

Применение карбида бора в качестве флюса для наплавки твердых покрытий. Принцип работы В качестве добавки, содержащей бор, карбид бора вводят в состав покрытий электродов, порошковых сердечников порошковых проволок и наплавочных флюсов. При высокой температуре сварки B₄C разлагается, и бор проникает в наплавленный металл, образуя твердые боридные фазы (FeB, CrB) железа и хрома, которые диспергируются в

Read More »

Почему карбид бора можно добавлять в покрытие сварочных электродов для упрочнения металла?

Карбид бора (B₄C) — это высокотвердое бор-углеродное соединение. При добавлении в покрытие наплавочных сварочных электродов он разлагается под воздействием высокой температуры сварочной дуги, перенося бор и углерод в расплавленную ванну. В сварочном шве образуются твердые боридные фазы, что значительно повышает износостойкость наплавочного слоя. Доступные размеры карбида бора: 80-120, 60-150. Образование твердых боридов для повышения износостойкости.

Read More »

Применение карбида бора (B₄C) в полупроводниковой промышленности

Применение карбида бора (B₄C) в полупроводниковой промышленности 1. Сверхточный абразивный порошок для притирки и полировки Шлам для притирки монокристаллических кремниевых пластин, утонения обратной стороны и тонкой полировки; низкое повреждение подповерхностного слоя, высокая скорость удаления материала, отсутствие загрязнений тяжелыми металлами. Полировальная среда для силовых полупроводниковых подложек SiC/GaN (IGBT, MOSFET, ВЧ-чипы), идеально подходит для планаризации твердых кристаллов

Read More »

Применение карбида бора в полупроводниковой промышленности

Применение карбида бора в полупроводниковой промышленности Карбид бора (B₄C) обладает высокой термостойкостью, выдающейся химической инертностью, устойчивостью к плазменной эрозии, низким газовыделением, высокой твердостью и радиационной стойкостью. Он подходит для работы в условиях высоких температур, вакуума и агрессивных сред при производстве кремниевых пластин и является ключевым керамическим материалом для кремниевых чипов и полупроводников третьего поколения. 1.

Read More »

Естественное содержание бора-10 (¹⁰B) в карбиде бора (B₄C)

Естественное содержание бора-10 (¹⁰B) в карбиде бора (B₄C) Ассистент: Природное содержание ¹⁰B в карбиде бора (B₄C) Естественный изотопный фон элементарного бора: Естественная распространенность ¹⁰B = 19,8%. Естественная распространенность ¹¹B = 80,2% При синтезе карбида бора (B₄C) из природного бора изотопное соотношение остается неизменным . Поэтому: ✅ Естественное содержание ¹⁰B в обычном карбиде бора промышленного класса

Read More »

прочность на растяжение карбида бора

Карбид бора (B₄C) имеет предел прочности на растяжение (UTS), обычно находящийся в диапазоне 155–500 МПа при комнатной температуре , в зависимости от процесса обработки, плотности, пористости и размера зерна. Типичные значения Предел прочности на растяжение (UTS): 350 МПа (51 ksi) (общепринятое инженерное значение) Высокоплотный B₄C, полученный методом горячего прессования: ~500 МПа Спеченные или низкоплотные марки:

Read More »
Пролистать наверх